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三星宣布推出新的NAND闪存设施 以满足未来的数据中心和移动需求

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全球先进存储技术的领导者三星电子今天宣布计划扩大其在韩国平泽市的NAND闪存生产能力，以增强该公司满足新兴技术需求的能力 。该工程于今年5月开始，将在2021年下半年为三星最先进的V-NAND存储器的大规模生产铺平道路 。
三星电子存储器全球销售与市场部执行副总裁Cheol Choi表示：“这项新投资重申了我们致力于在存储技术领域保持领先地位的承诺，即使在不确定的时期也是如此 。“我们将继续以最优化的解决方案为市场服务，同时为整个IT行业和整个经济的增长做出贡献 。”
在人工智能，物联网和5G扩展推动下的第四次工业革命时代，增加的容量将在帮助满足NAND闪存的中长期需求方面发挥重要作用 。随着数字生活方式的普及，三星将继续积极进行新的投资，以抓住未来的市场机会 。
三星的NAND闪存生产网络已从韩国的华城和平泽扩展到了的西安 。三星的平泽校区成立于2015年，是下一代存储器技术的枢纽，由世界上最大的两条生产线组成 。
凭借其在制造和技术上的显着优势，三星在过去18年中一直保持着NAND闪存的领导地位，最近的一项创新是去年7月推出的业界第一代第六代(1xx层)V-NAND 。通过在全球各地进行平衡投资，三星旨在维持稳健的生产网络，从而进一步巩固其市场领导地位 。
【三星宣布推出新的NAND闪存设施 以满足未来的数据中心和移动需求】

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