【中国光刻机最新消息 国产最新光刻机】全球光刻机：日荷瓜分九成天下，中国正奋力直追
无可否认，近十年时间里，中国经济高速增长无不让全世界其他国际为之惊叹的，甚至在个别领域也实现了拐弯超车，远超部分欧洲国家 。但是，因为中国进入高质量发展时间短的缘故，在一些高科技紧密领域还与发达国家仍存在一定差距，还需要很长的时间补课 。其中，国产半导体设备技术与发达国家领先的半导体设备技术存在差距最为显著 。
以2014-2018年全球半导体设备供应商TOP10市场占有率的情况来看，包括应用材料（AMAT)、阿斯麦（ASML）、LAM、科磊半导体（KLA）、东京电子（TEL）等在内前十大半导体设备供应商基本占据了超75%的市场，而且市场占有率随着技术迭代及革新越来越高 。而这前十大半导体供应商基本都来自美国、日本、韩国及荷兰四大半导体技术发达的国家包揽 。
在全球前十大半导体供应商中，拥有全球光刻机最领先的技术的阿斯麦（ASML）也位居在列 。阿斯麦所拥有的领先光刻机技术正是以上海微电子为首的国产光刻机企业未来15年共同努力的方向 。据了解，中科院曾表示，中国光刻机技术至少落后阿斯麦（ASML）15年 。
光刻机有多难，为何中国需要花15年才能追上？
回答这个问题，首先要从光刻机的工作原理来讲，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模版，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1 。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片） 。
在这个过程中，光刻质量直接决定了芯片是否可用，在这里最核心的就是光源了 。
正是基于这点，一切光刻机的核心零件都是围绕光源来发展的，所以根据光源的改进，光刻机一共可以分为五代，分别是最早的贡灯光源的436纳米波长的光刻机、第二代是DUV光源的365纳米波长的光刻机、第三代是DUV光源的248纳米波长的光刻机（KrF)、第四代是DUV光源的193纳米波长的光刻机（ArF）、第五代则是13.5纳米波长的极紫外光刻机，即EUV光刻机 。
通俗点讲，从目前技术工艺角度来看，谁能将波长控制得越短并实现效能最大化，谁的技术优势愈发明显 。这也是光刻机巨头之间较量决定成败及市场占有率的重要筹码，亦是后来者能否实现拐弯超车或提升市场竞争力及话语权的关键 。
以现如今的荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）为例，在2000年前，全球光刻机行业龙头是被日本的尼康占据，阿斯麦暂时未有技术实力与之博弈 。
阿斯麦实现拐弯超车的是在第三代光刻机时期 。在第三代光刻机时期，阿斯麦选择小改进大效果且产品成熟度非常高的浸入式技术，进行稳扎稳打，而尼康则选择创新路线，希望在157nmF2激光及EPL寻求突围，并一举夯实龙头地位 。
2003年之后，阿斯麦相继推出浸入式193纳米波动的系列光刻机，而尼康也陆续推出了157nm产品及EPL产品样机 。然而，出于对产品质量及效益等成本因素考虑，半导体厂商选择产品成熟度更高的浸入式光刻机 。随后不久，国际大厂英特尔及台积电纷纷选择阿斯麦之后，尼康也就此失去挑战摩尔定律的勇气了 。而阿斯麦借势而起，开发出全球首款EUV光刻机，全球光刻机寡头地位就此形成 。
目前，全球光刻机市场竞争格局中，阿斯麦以75.3%的市场份额占据绝对的优势，而佳能、尼康两家企业分别以11.3%及6.2%位列第二、第三名 。
反观国内市场，目前中国只能生产出90纳米的光刻机设备，这也是生产国产光刻机的最高技术水平 。这也导致目前我国光刻机只能从阿斯麦、佳能及尼康手中购买 。
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