文章插图
图5 (a)表1中样品(b)的x射线形貌图 。x线切片的方向为<1-100> 。x射线形貌图像的晶体学方向为(b) 。
我们在重氮掺杂样品(a)中观察到无位错的厚带，在样品(b)界面处观察到大量穿线位错的产生 。为了仔细观察，我们获得了g=101-4的x射线形貌图像，如图5所示 。在初始生长区域的x射线形貌图(b)中，发现了向基面方向滑动的贯穿位错 。
结论
我们研究了PVT法4H-SiC单晶生长初期贯穿位错的产生 。为了阐明籽晶和生长晶体之间的氮浓度差异对4H-SiC单晶生长初期位错成核的影响，在不同氮气流量和/或形态下，在相同的生长条件下形成晶体，以消除样品之间的热应力差异的影响 。生长晶体的N原子浓度高度依赖于引入的氮气比例，并且N原子浓度在生长初期急剧增加 。在界面上产生新的贯穿位错在很大程度上取决于籽晶和生长晶体之间的氮原子浓度差异 。在低N原子浓度差的样品中，贯穿位错很少产生，而在高N原子浓度差的样品中，贯穿位错在界面处发生形核 。在PVT生长过程的初始阶段，研究了籽晶与生长晶体之间氮浓度差异引起的晶格不匹配引起的贯穿位错的产生，并确定了加热和减压阶段适宜的氮气流量和分布 。
【pvt法晶体生长】
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